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噢买嘎

当高k介电材料沉积在两个薄金属电极之间以形成平行平板电容器时，Draco解决了一个严峻的挑战，即减小的单元面积和减小的电容器直径。他说，随着单元面积的减小，电容器的直径也随之减小。“纵横比，即电容器的高度与其直径之比，一直在减小节点之间的距离。随着孔径变窄，蚀刻深孔并有效去除副产物变得更具挑战性。”另外，Varghese说，蚀刻离子能量不断增加，以维持稳定的蚀刻速率，而工艺的变化导致硬掩模材料在完全形成整个孔之前被蚀刻掉。他说：“增加硬标记的厚度只会使长宽比变差，并达到回报递减的程度。” “由于这些挑战，电容器尺寸的缺陷和变化也会变得更加严重。” 通过使用Draco，客户能够将硬标记的厚度减少30％。“在硬标记上制成的孔的质量必须具有最佳的均匀性和形状，因为其中的任何变形都会转移到下一个模具蚀刻工艺中。”应用材料公司还解决了不断变薄的电介质层带来的挑战，这些问题已使DRAM管芯尺寸减小。由于现在的电介质太薄，无法防止金属线中的电容耦合，因此信号容易相互干扰，从而导致功耗增加，性能降低，发热量增加以及可靠性风险。而不是使用Varghese表示，两种氧化硅（硅烷和四乙氧基硅烷）中的一种作为电介质材料，该解决方案将Applied Materials的Black Diamond低k电介质带入DRAM市场。据介绍，应用材料公司首先在高级逻辑中使用，现在对其进行了修改，使其可以与Producer GT平台一起使用。“与目前的氧化硅膜相比，黑钻的介电常数降低了25％。” 他说，它还可以实现更小，更紧凑的互连线，这些互连线可以以数GHz的速度通过芯片传送信号，而不会产生干扰，并降低了功耗。
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